高通骁龙835宣布:10nm工艺 功耗暴降25%_手机_云掌财经

2017-01-05 12:12

去年11月结合三星正式发布了骁龙835后,高通今天在CES上颁布了骁龙835的更多细节材料。

基础规格方面,骁龙835采取Big.Little八中心设计,Kryo 280 CPU,大核2.45GHz,小核1.9GHz;Adreno 540 GPU(支持OpenGL ES 3.2,、完全OpenCL 2.0、Vulkan、DX12)集成X16 LTE基带,支撑Cat.16下行/Cat.13上行;

此外还有,2x2 11ac MU-MIMO;802.11ad Wi-Fi(60GHz);蓝牙5;Hexagon 682 DSP;双通道LP DDR4x-1866MHz;导航支持GPS, GLONASS, 北斗, Galileo,QZSS;单镜3200万像素、双镜1600万像素,Spectra 180 ISP;支持录制4K 30FPS视频跟播放4K 60帧视频(HDR 10);Quick Charge 4;WCD9341音频解码,32-bit/384kHz;10nm FinFET工艺。

高通此次将精神重要放在10nm加持下骁龙835的功耗表示上,机能比820晋升了27%之多,然而功耗下降了25%(比801降低了50%),也就是均匀天天多用2.5小时。

同时,QC4.0快充比3.0快了20%,兼容USB Type-C尺度,充电5分钟可用5小时。

高通表现,骁龙835的产品在上半年就能见到,目前三星、小米、华硕、LG等都虎视眈眈,坐等首发吧。